Crystal Growth of Si for Solar Cells (Registro nro. 66186)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 03099nam a22005295i 4500 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | DE-He213 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20191014002354.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 100715s2009 gw | s |||| 0|eng d |
| 020 64 - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783642020445 |
| -- | 978-3-642-02044-5 |
| 024 87 - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES | |
| Número estándar o código | 10.1007/978-3-642-02044-5 |
| Fuente del número o código | doi |
| 050 84 - CLASIFICACIÓN TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | TA1750-1750.22 |
| 072 87 - CÓDIGO DE CATEGORÍA DE MATERIA | |
| Código de categoría de materia | TJFD |
| Fuente | bicssc |
| 072 87 - CÓDIGO DE CATEGORÍA DE MATERIA | |
| Código de categoría de materia | TEC021000 |
| Fuente | bisacsh |
| 072 87 - CÓDIGO DE CATEGORÍA DE MATERIA | |
| Código de categoría de materia | TEC008080 |
| Fuente | bisacsh |
| 082 ## - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY | |
| Número de clasificación | 620.11295 |
| Número de edición | 23 |
| 082 ## - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY | |
| Número de clasificación | 620.11297 |
| Número de edición | 23 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 000066456 |
| 100 81 - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Nakajima, Kazuo. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| 9 (RLIN) | 151091 |
| 245 97 - MENCIÓN DE TÍTULO | |
| Título | Crystal Growth of Si for Solar Cells |
| Medio | [electronic resource] / |
| Mención de responsabilidad, etc. | edited by Kazuo Nakajima, Noritaka Usami. |
| 264 81 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | Berlin, Heidelberg : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Springer Berlin Heidelberg, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2009. |
| 300 64 - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | XIV, 255p. 160 illus., 6 illus. in color. |
| Otras características físicas | online resource. |
| 336 64 - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | text |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 64 - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | computer |
| Código del tipo de medio | c |
| Fuente | rdamedia |
| 338 64 - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | online resource |
| Código del tipo de soporte | cr |
| Fuente | rdacarrier |
| 347 64 - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL | |
| Tipo de archivo | text file |
| Formato de codificación | |
| Fuente | rda |
| 490 81 - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Advances in Materials Research, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1435-1889 ; |
| Designación de volumen o secuencia | 14 |
| 505 80 - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | Feedstock -- Czochralski Silicon Crystal Growth for Photovoltaic Applications -- Floating Zone Crystal Growth -- Crystallization of Silicon by a Directional Solidification Method -- Mechanism of Dendrite Crystal Growth -- Fundamental Understanding of Subgrain Boundaries -- New Crystalline Si Ribbon Materials for Photovoltaics -- Crystal Growth of Spherical Si -- Liquid Phase Epitaxy -- Vapor Phase Epitaxy -- Thin-Film Poly-Si Formed by Flash Lamp Annealing -- Polycrystalline Silicon Thin-Films Formed by the Aluminum-Induced Layer Exchange (ALILE) Process -- Thermochemical and Kinetic Databases for the Solar Cell Silicon Materials. |
| 520 64 - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | This volume presents a comprehensive survey of the science and technology of crystal growth of Si for solar cells with emphasis on fundamental science. Starting from feedstock, crystal growth of bulk crystals (single crystal and multicrystals) and thin film crystals are discussed. Numerous illustrations promote a comprehension of crystal-growth physics. The fundamental knowledge on crystal growth mechanisms obtained through this book will contribute to future developments of novel crystal growth technologies for further improvement of conversion efficiency of Si-based solar cells. |
| 516 64 - NOTA DE TIPO DE ARCHIVO DE ORDENADOR O DE DATOS | |
| Nota de tipo de archivo de ordenador o de datos | ZDB-2-CMS |
| 650 80 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Materials. |
| -- | 8930 |
| 650 80 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Crystallography. |
| -- | 9516 |
| 650 80 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Engineering. |
| -- | 151092 |
| 650 80 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Optical materials. |
| -- | 9776 |
| 650 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Material Science. |
| -- | 9517 |
| 650 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Optical and Electronic Materials. |
| -- | 9779 |
| 650 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Crystallography. |
| -- | 9516 |
| 650 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Engineering, general. |
| -- | 8825 |
| 700 81 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Usami, Noritaka. |
| Término indicativo de función/relación | editor. |
| -- | 151093 |
| 710 82 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA | |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada | SpringerLink (Online service) |
| 9 (RLIN) | 151094 |
| 773 80 - ENLACE AL DOCUMENTO FUENTE/ENTRADA DE REGISTRO ANFITRIÓN | |
| Título | Springer eBooks |
| 776 ## - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL | |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia | Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9783642020438 |
| 830 80 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE SERIE-TÍTULO UNIFORME | |
| Título uniforme | Advances in Materials Research, |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas | 1435-1889 ; |
| Designación de volumen o secuencia | 14 |
| 9 (RLIN) | 151095 |
| 856 ## - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso | http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-02044-5 |
| Nota pública | de clik aquí para ver el libro electrónico |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Libro Electrónico |
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