TY  - BOOK
AU  - González Díez,María Yolanda
AU  - González Sotos,Luisa
ED  - e-libro, Corp.
TI  - Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
AV  - TA403 G643 1991
U1  - 620.11 22
PY  - 1991///
CY  - Madrid
PB  - Universidad Complutense de Madrid
KW  - Materiales
KW  - Materials
KW  - Libros electrónicos
N1  - Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales; Recurso electrónico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible vía World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro
N2  - En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilacion de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre sustratos de Si tambien tratados a baja temperatura
UR  - https://elibro.net/ereader/uqroo/87594
ER  -