TY  - BOOK
AU  - Vazquez López,Manuel
AU  - Briones Fernández-Pola,Fernando
ED  - e-libro, Corp.
TI  - Aplicación de la técnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GaAsnAlGaAs, n-GaAsInGaAs y AlAsInAsGaAs para dispositivos HEMT
AV  - TK146 V393 1991
PY  - 1991///
CY  - Madrid
PB  - Universidad Complutense de Madrid
KW  - Tecnología electrónica
KW  - Innovaciones científicas
KW  - Electric engineering
KW  - Technological innovations
KW  - Libros electrónicos
N1  - Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Fisicas, Departamento de Fisica de Materiales; Recurso electrónico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible vía World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro
N2  - En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electronica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE (eplitaxis por haces moleculares de capas atomicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidad de alta movilidad y por otro lado, en unas heteroestructuras de alta movilidad electronica en las que los materiales constituyentes tiene diferente parametro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convenciones. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electronica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas
UR  - https://elibro.net/ereader/uqroo/103231
ER  -