Aplicación de la técnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GaAsnAlGaAs, n-GaAsInGaAs y AlAsInAsGaAs para dispositivos HEMT [recurso electronico] / Manuel Vázquez López ; director Fernando Briones Fernández-Pola.
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TextoEditor: Madrid : Universidad Complutense de Madrid, 1991Descripción: 237 pTema(s): Tecnología electrónica | Innovaciones científicas | Electric engineering | Technological innovationsGénero/Forma: Libros electrónicos. Clasificación LoC:TK146 | V393 1991Recursos en línea: Haga clic para acceso en línea Resumen: En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electronica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE (eplitaxis por haces moleculares de capas atomicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidad de alta movilidad y por otro lado, en unas heteroestructuras de alta movilidad electronica en las que los materiales constituyentes tiene diferente parametro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convenciones. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electronica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas.
Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Fisicas, Departamento de Fisica de Materiales.
En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electronica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE (eplitaxis por haces moleculares de capas atomicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidad de alta movilidad y por otro lado, en unas heteroestructuras de alta movilidad electronica en las que los materiales constituyentes tiene diferente parametro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convenciones. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electronica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas.
Recurso electrónico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible vía World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro.
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